产品详情
一、基础信息
型号:PXIe-4141
品牌归属:NI(National Instruments 美国国家仪器)
设备类型:4 通道精密 PXIe 源测量单元(SMU,Source Measure Unit)
归类:PXIe 总线模块化源测量仪器(插卡式模块,不能独立工作,必须搭配 PXIe 机箱 + 控制器使用)
用途:集成精密电压 / 电流源与同步测量功能,支持四象限工作,可同时输出激励并采集被测器件电压、电流,快速完成 I-V 特性扫描;内置四线远程传感,消除引线电阻误差,适合多通道半导体、传感器、光电器件静态 / 瞬态电性能测试。
二、核心硬件参数
通道数量:4 路独立 SMU 通道
电压范围:±10 V
电流范围:±100 mA
单通道最大直流功率:源出 1W / 吸收 1W
电流测量灵敏度:10 pA
工作模式:四象限(可供电、可吸收电流)
测量方案:内置 4 线远程感应(Remote Sense)
技术特色:SourceAdapt 负载自适应技术,优化瞬态响应与稳定性
采样速率:高速采集,支持瞬态特性捕捉
总线标准:PXI Express,支持多模块硬件同步触发
接口:高密度 D-Sub 连接器,引出 HI/LO/Sense 感应端口
三、功能特性
四通道独立可控,支持并行测试,大幅提升多引脚器件测试效率
四象限双向工作,既能输出激励,也能吸收被测器件回馈电流
四线制测量,规避测试线缆压降,实现高精度小信号测量
SourceAdapt 自适应负载调节,抑制振荡,优化测量稳定性
硬件时序引擎,多模块纳秒级同步,可与开关、数字 IO、示波器协同搭建综合测试系统
配套 LabVIEW、Python、C 语言驱动,易于搭建自动化测试方案
内置过压、过流保护,防止静电与误操作损坏被测芯片
四、典型应用场景
二极管、MOS 管、三极管等分立半导体 I-V 特性测试
MEMS 传感器、光电探测器、硅光芯片静态电学表征
IC 芯片开路短路测试、功耗测试、阈值电压扫描
微型光伏器件、电池材料特性研究
多通道并行自动化芯片量产测试系统搭建